碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、新能源汽車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。

　　2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術分會，“功率電子器件及封裝技術Ⅰ”論壇于26日上午成功召開。會議由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協辦支持。該會由分會主席浙江大學特聘教授、電氣工程學院院長盛況和中山大學教授劉揚共同主持。

　　會上，邀請到了中國科學院微電子研究所湯益丹分享了《大電流1.2kV SiC JBS器件浪涌能力電熱分析》研究報告。

 

　　基于SiC結勢壘肖特基（JBS）二極管工作原理及其電流/電場均衡分布理論,采用高溫大電流單芯片設計技術及大尺寸芯片加工技術,研制了1 200 V/100 A高溫大電流4H-SiC JBS二極管。該器件采用優化的材料結構、有源區結構和終端結構,有效提高了器件的載流子輸運能力。測試結果表明,當正向導通壓降為1.60 V時,其正向電流密度達247 A/cm^2（以芯片面積計算）。在測試溫度25和200℃時,當正向電流為100 A時,正向導通壓降分別為1.64和2.50 V;當反向電壓為1 200 V時,反向漏電流分別小于50和200μA。動態特性測試結果表明,器件的反向恢復特性良好。器件均通過100次溫度循環、168 h的高溫高濕高反偏（H3TRB）和高溫反偏可靠性試驗,顯示出優良的魯棒性。器件的成品率達70%以上。【內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解】