2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術分會，“功率電子器件及封裝技術Ⅰ”論壇于26日上午成功召開。會議由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協(xié)辦支持。該會由分會主席浙江大學特聘教授、電氣工程學院院長盛況和中山大學教授劉揚共同主持。

　　會上，邀請到了中國科學院微電子研究所湯益丹分享了《大電流1.2kV SiC JBS器件浪涌能力電熱分析》研究報告。

 

　　基于SiC結勢壘肖特基（JBS）二極管工作原理及其電流/電場均衡分布理論,采用高溫大電流單芯片設計技術及大尺寸芯片加工技術,研制了1 200 V/100 A高溫大電流4H-SiC JBS二極管。該器件采用優(yōu)化的材料結構、有源區(qū)結構和終端結構,有效提高了器件的載流子輸運能力。測試結果表明,當正向?qū)▔航禐?.60 V時,其正向電流密度達247 A/cm^2（以芯片面積計算）。在測試溫度25和200℃時,當正向電流為100 A時,正向?qū)▔航捣謩e為1.64和2.50 V;當反向電壓為1 200 V時,反向漏電流分別小于50和200μA。動態(tài)特性測試結果表明,器件的反向恢復特性良好。器件均通過100次溫度循環(huán)、168 h的高溫高濕高反偏（H3TRB）和高溫反偏可靠性試驗,顯示出優(yōu)良的魯棒性。器件的成品率達70%以上。【內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解】