鈮酸鋰材料具有優異的電光、聲光和光學非線性效應，素有光電子時代“光學硅”的稱號。近年來，薄膜鈮酸鋰作為新的集成光電子材料平臺受到了廣泛的關注，基于該平臺的光電子器件庫也得到了快速的發展。

4月20日，首屆中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產業大會開幕。論壇在湖北省和武漢市政府支持下，由武漢東湖新技術開發區管理委員會、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、九峰山實驗室、光谷集成電路創新平臺聯盟共同主辦。

中國科學院院士、南京大學教授祝世寧分享了薄膜鈮酸鋰的機遇與挑戰。報告指出，上個世紀80年代,南開大學與西南技術物理所合作研究, 發現摻鎂量大于4.6%mol濃度閾值時，可極大提高抗光折變能力,引起國內外學者廣泛關注,該晶體也被譽為“中國之星”，這一突破打開了鈮酸鋰晶體在Q-開關、集成光學等多個領域中應用的新局面。

薄膜鈮酸鋰光電器件的尺寸大幅度減小, 性能大幅度提升，滿足光電子技術不斷發展的需要。報告詳細介紹了當前薄膜鈮酸鋰光電器件與集成技術的最新進展動態，并指出，薄膜鈮酸鋰光電器件與集成技術具有低損耗、易調控、非線性等特點，為大規模光子集成創造條件。

盡管起步很早，光子集成的道路遠遠比電子集成更加坎坷，至今核心材料與技術路線仍未完全確立，是機遇也是挑戰。要發展和優化基于鈮酸鋰薄膜器件獨特的加工與制備技術。有關薄膜鈮酸鋰器件與集成的材料工程涉及晶圓級加工、異質鍵合技術、缺陷控制技術、鐵電疇工程、摻雜技術、色散工程等。

展望未來，薄膜LN集成光子學將很快成為集成光子學聯盟中強大的競爭者和不可或缺的參與者，它的多功能性復雜性和應用前景令人期待。

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