11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。

11月26日上午，“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)”分會如期召開。本屆分會由山西中科潞安紫外光電科技有限公司、華燦光電股份有限公司、德國愛思強股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司協(xié)辦。

法國原子能委員會電子與信息技術(shù)實驗室研究主任Francois TEMPLIER，北京大學(xué)教授陳志忠，德國ALLOS Semiconductors首席技術(shù)官Atsushi NISHIKAWA，美國Lumiode, Inc.創(chuàng)立者兼總裁Vincent LEE，北方華創(chuàng)PVD事業(yè)部LED產(chǎn)品經(jīng)理郭冰亮，和蓮光電科技股份有限公司董事長邰中和，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授劉斌，德國Instrument Systems optische Messtechnik GmbH的Tobias STEINEL等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。

     

會上，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授劉斌做了題為“納米模板生長和制備非/半極性面LED及Micro-LED器件”的主題報告，介紹了MOCVD生長的半極性InGaN / GaN MQW，半極性微型LED的制造等最新研究成果。報告顯示，已經(jīng)通過MOCVD通過納米圖案模板生長了半極性MQW，晶體質(zhì)量大大提高。半極性MQW在長波長發(fā)射，快速載流子重組方面顯示出了它們的優(yōu)勢。量子點（QD）由于具有良好的光學(xué)特性，具有特征的尺寸，因此可用于微顯示應(yīng)用。為RGB和白色發(fā)射器制造了填充有QD的微孔LED。已經(jīng)實現(xiàn)了半極性微型LED器件。與c平面微型LED相比，其電子和光學(xué)性能是合理的。

  

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