11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。 

11月26日上午，“Micro-LED與其他新型顯示技術”分會如期召開。本屆分會由山西中科潞安紫外光電科技有限公司、華燦光電股份有限公司、德國愛思強股份有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司協辦。

法國原子能委員會電子與信息技術實驗室研究主任Francois TEMPLIER，北京大學教授陳志忠，德國ALLOS Semiconductors首席技術官Atsushi NISHIKAWA，美國Lumiode, Inc.創立者兼總裁Vincent LEE，北方華創PVD事業部LED產品經理郭冰亮，和蓮光電科技股份有限公司董事長邰中和，南京大學電子科學與工程學院副院長、教授劉斌，德國Instrument Systems optische Messtechnik GmbH的Tobias STEINEL等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。

北京大學教授陳志忠做了題為“針對每平方厘米kW級別的高功率microLED三維熱量傳輸研究”的主題報告，報告指出，在藍寶石和GaN襯底上制造了不同尺寸的mLED。 通過正向電壓法，熱瞬態測量和紅外熱成像研究了mLED的3D熱特性。在電流注入水平為4 kA / cm²的情況下，GaN襯底上的mLED的結溫比藍寶石襯底上的mLED低約10oC，K因子的幅度較小。 紅外熱成像結果表明，溫度均勻分布在GaN襯底上。熱瞬態測量表明，GaN襯底上的mLED的臺面，外延層和GaN /襯底界面的熱阻顯著降低。這意味著高質量的GaN晶體和均勻的界面對應于聲子的很少散射。結合了GaN基板的小型mLED可以成為高亮度顯示和可見光通信的理想選擇。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）