為摸清以SiC技術為重點的我國第三代半導體裝備國產化現狀，實施“瞄準全產業鏈、分步多點突破”推進國產裝備自主化進程戰略， 2019年12月3日下午，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟第一屆裝備委員會共同主任、中國電子科技集團公司第十三研究所副所長兼同輝電子科技股份有限公司總經理唐景庭研究員專程赴河北同光晶體有限公司進行了專題調研。參加調研的人員還有：中國電子科技集團公司第十三研究所研究員兼同輝電子科技股份有限公司副總經理袁鳳坡、同輝電子科技股份有限公司申碩、無錫先導智能裝備股份有限公司企業發展經理許弘毅、九江市廬山新華電子有限公司項目經理周曉君等。本次調研主要針對SiC襯底生產環節。河北同光晶體有限公司鄭清超董事長等熱情接待了調研組一行，雙方進行了熱烈而卓有成效的溝通。
河北同光晶體有限公司成立于2012年5月28日，公司位于河北省保定市高新區。同光碳化硅單晶項目總投資10億元人民幣，占地92畝，建筑面積13萬平方米，已購置單晶生長爐170臺，很快將同址擴至300臺。檢測儀器設備20臺套，切磨拋工藝設備13臺。目前，公司研發產品涵蓋直徑4—6英寸導電型和高純半絕緣型碳化硅單晶襯底片。高純半絕緣型碳化硅單晶在純度方面，能夠將雜質含量穩定控制在0.01ppm以下。
考察之后，唐景庭主任表示，目前國內材料企業生產環節中切、磨、拋設備幾乎均從國外進口。檢測設備，包括晶片缺陷檢測系統、高分辨X射線衍射儀、拉曼光譜儀、平整度儀、超景深顯微鏡、原子力顯微鏡、高電阻率測試儀、低電阻率測試儀等也均從國外進口。聯盟裝備委員會未來的主要任務就是推動以材料、工藝帶動國產裝備發展，進而實現第三代半導體產業技術的全面突破。此次調研收獲很大，以后將陸續組團對裝備委員會的成員進行考察調研，逐步提出裝備發展的路線圖。他還表示，中國電科第十三研究所SiC襯底需求量約占全國的30％，以后需求將呈爆發式增長。考慮到同光晶體技術的先進性、產能的可保證性和同在河北省帶來的各種便利等優勢條件，按照以市場換解決關鍵設備短板進而促進產業良性發展的原則，十三所擬自2020年1月起，逐步采購使用同光SiC襯底片。
