寬禁帶半導體已成為全球高技術競爭戰略制高點之一，國際半導體及材料領域研究和發展的熱點，基于寬禁帶半導體材料，半導體照明已經形成巨大規模的產業，并在電子功率器件領域繼續深入發展。為推動我國寬禁帶半導體領域的發展，加強各界交流與協同創新，八年前，首屆全國寬禁帶半導體學術會議召開。今年，第四屆全國寬禁帶半導體學術會議由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料學分會共同主辦，廈門大學和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟聯合承辦。

據了解，本屆大會以“芯動力·新征程--寬禁帶半導體的機遇與挑戰”為主題，由廈門大學校長張榮教授與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟吳玲理事長共同擔任大會主席。同時，邀請了強大的顧問委員會、程序委員會、組織委員會專家團。

 

大會強大的專家團隊將與來自國內寬禁帶半導體領域學術界、產業界的專家學者、科研技術人員、院校師生、企業家代表們一道，圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發以及相關設備研發等領域開展廣泛交流，促進產學研用的交流合作。深信這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步、產業發展起到有力的推動作用。

 

大會程序委員會委員邱宇峰教授將出席會議并帶來題為“18kV SiC IGBT研制”的大會報告。

 

邱宇峰是廈門大學講座教授、全球能源互聯網研究院原副院長，曾任全球能源互聯網研究院黨組書記、副院長；輸配電及節電技術國家工程研究中心主任；電力行業電能質量及柔性輸電標準化技術委員會主任等職務。主要從事柔性輸電、高壓直流輸電和電力系統繼電保護等領域的研發工作，是中國大功率電力電子技術的主要開創者之一。

 

邱宇峰教授曾主持完成了國家973、863項目等多項研究，完成了中國第一臺用于輸電系統的靜止無功補償器、世界首臺1000kV串聯補償裝置、800kV特高壓直流換流閥及世界首個200kV直流斷路器等技術研發與工程應用，為特高壓電網及智能電網在中國的建設和發展做出了積極貢獻。獲得國家科學技術進步獎1項、國家能源科技進步獎1項及16項省部級科學技術進步獎。

 

SiC IGBT代表著功率器件的較高水平，目前而言，SiC器件的制成還有著很多難點需要突破和解決。本屆大會上，邱宇峰教授將與業界分享關于18kV SiC IGBT研制的最新研究成果，敬請期待！

目前大會征文及報名工作正有序進行中，論文摘要提交將于8月10日截止，報名繳費優惠將于9月10日截止。歡迎相關領域的專家、學者、行業企事業單位參會交流！更多詳情見大會官網：http://www.wbsc.org.cn/