半導體照明網(wǎng)訊：2022年8月15-18日，III-V族化合物半導體材料生產(chǎn)商和供應商--云南鑫耀半導體材料有限公司（簡稱鑫耀半導體）將攜最新產(chǎn)品參加參展“第十七屆全國MOCVD學術(shù)會議（MOCVD 2022），并展出砷化鎵、磷化銦等III-V族化合物半導體材料產(chǎn)品。
III-V族化合物半導體材料在光電子器件，光電集成，超高速微電子器件和超高頻微波器件及電路上得到重要應用，有廣闊前景。金屬有機化學氣相淀積（MOCVD）技術(shù)自二十世紀六十年代提出以來，取得了飛速進步，已經(jīng)廣泛應用于制備III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半導體材料及其量子結(jié)構(gòu)，極大地推動了光電子器件和微電子器件與芯片的發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化，也成為半導體超晶格、量子阱、量子線、量子點結(jié)構(gòu)材料及相關(guān)器件研究的關(guān)鍵技術(shù)。未來MOCVD技術(shù)的發(fā)展將會給化合物半導體科學技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來更為廣闊的前景。
全國MOCVD學術(shù)會議自1989年第一屆會議舉辦以來，已經(jīng)成功舉辦了十六屆，會議規(guī)模和影響力越來越大，成為全國學術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界廣泛參與的學術(shù)盛會。今年，第十七屆全國MOCVD學術(shù)會議（MOCVD 2022）將于8月16-19日在山西太原舉行。以“探索材料新動能·智創(chuàng)未來芯發(fā)展”為主題，本屆大會是在國家科學技術(shù)部指導下，由中國有色金屬學會、中國科學院半導體研究所、中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合主辦。
據(jù)組委會透露，此次云南鑫耀半導體材料有限公司將亮相本次盛會，鑫耀半導體是云南鍺業(yè)控股子公司，其前身為北京中科鎵英半導體有限公司，是國內(nèi)最早研發(fā)、生產(chǎn)高品質(zhì)半絕緣砷化鎵和磷化銦襯底的企業(yè)。鑫耀半導體是我國著名的III-V族化合物半導體材料生產(chǎn)商和供應商，是云南省軍民融合企業(yè)，是中央軍委裝備發(fā)展部新材料產(chǎn)品重點扶持單位。鑫耀半導體擁有國內(nèi)最具有產(chǎn)業(yè)化實力的III-V族高端光電半導體材料研發(fā)平臺和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線；擁有從單晶生長、晶片加工、測試檢驗完整的工藝線；擁有從磷化銦單晶爐設計制造、單晶生長、晶片加工等技術(shù)方面的核心人才35人，該團隊一直從事磷化銦單晶片（InP）、砷化鎵單晶片（GaAs）研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)管理工作，具有豐富的半導體材料專業(yè)知識和產(chǎn)業(yè)化管理經(jīng)驗。屆時，鑫耀半導體將攜最新產(chǎn)品參加參展“第十七屆全國MOCVD學術(shù)會議（MOCVD 2022），并展出砷化鎵、磷化銦等III-V族化合物半導體材料產(chǎn)品。
掌握4-8英寸砷化鎵晶片生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)
支撐5G通信、無人駕駛等新興市場發(fā)展
砷化鎵作為半導體材料具有優(yōu)良的特性。使用砷化鎵襯底制造的半導體器件，具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性，因此砷化鎵襯底被廣泛用于生產(chǎn)射頻器件、激光器等器件產(chǎn)品。20世紀90年代以來，砷化鎵技術(shù)得以迅速發(fā)展，并逐漸成為最成熟的半導體材料之一。但長期以來，由于下游應用領(lǐng)域的發(fā)展滯后，市場需求有限，砷化鎵襯底市場規(guī)模相對較小。2019年后，在5G通信、無人駕駛、人工智能、可穿戴設備等新興市場需求的帶動下，未來砷化鎵襯底市場規(guī)模將逐步擴大。
砷化鎵襯底廣泛應用于射頻器件和通信基站
目前，砷化鎵襯底主要應用下游器件包括射頻器件、激光器，各器件需求情況分別如下：
（1）射頻器件
射頻器件是實現(xiàn)信號發(fā)送和接收的關(guān)鍵器件，射頻器件主要包括功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換器等器件，其中，功率放大器是放大射頻信號的器件，其直接決定移動終端和基站的無線通信距離和信號質(zhì)量。由于砷化鎵具有高電子遷移率和高飽和電子速率的顯著優(yōu)勢，因此砷化鎵一直是制造射頻功率放大器的主流襯底材料之一。4G時代起，4G基站建設及智能手機持續(xù)普及，用于制造智能手機射頻器件的砷化鎵襯底需求量開始上升。進入5G時代之后，5G通信對功率、頻率、傳輸速度提出了更高的要求，使用砷化鎵襯底制造的射頻器件非常適合應用于長距離、長通信時間的高頻電路中，因此，在5G時代的射頻器件中，砷化鎵的材料優(yōu)勢更加顯著。隨著5G基站建設的大量鋪開，將對砷化鎵襯底的需求帶來新的增長動力；與此同時，單部5G手機所使用的射頻器件數(shù)量將較4G手機大幅增加，也將帶來對砷化鎵襯底需求的增長。
（2）激光器
激光器是使用受激輻射方式產(chǎn)生可見光或不可見光的一種器件，構(gòu)造復雜，技術(shù)壁壘較高，是由大量光學材料和元器件組成的綜合系統(tǒng)。利用砷化鎵電子遷移率高、光電性能好的特點，使用砷化鎵襯底制造的紅外激光器、傳感器具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、高擊穿電壓等特點，可用于人工智能、無人駕駛等應用領(lǐng)域。
鑫耀半導體砷化鎵產(chǎn)品
鑫耀半導體采用目前世界先進的VGF法單晶生長技術(shù)和晶片加工技術(shù)，掌握4-8英寸砷化鎵單晶片生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)：VGF法砷化鎵單晶生長爐的設計制造技術(shù)以及生長爐的熱場設計技術(shù)、VGF法4-8英寸化鎵單晶生長工藝技術(shù)和4-8英寸高平整度開盒即用砷化鎵單晶片的加工技術(shù)。公司半導體、半絕緣襯底產(chǎn)品的位錯密度、電阻率均勻性、平整度、表面顆粒度等關(guān)鍵性能指標優(yōu)異，可滿足5G射頻功率放大器、可穿戴設備傳感器、車載激光雷達、生物識別激光器等高端市場對半導體襯底產(chǎn)品的性能要求。公司為全球范圍內(nèi)少數(shù)產(chǎn)品可以應用于高端市場的 III-V族化合物半導體襯底企業(yè)之一。
規(guī)模化量產(chǎn)供應2-6英寸磷化銦襯底產(chǎn)品
廣泛用于光模塊、傳感及射頻器件
廣泛用于光模塊、傳感及射頻器件
磷化銦（InP）作為重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料之一，是繼Si（硅）、Ge（鍺）、GaAs（砷化鎵）之后的新一代電子功能材料。磷化銦具有諸多優(yōu)點：較高的電光轉(zhuǎn)換率、飽和電子漂移速度和電子遷移率，導熱性好、抗輻射能力強，發(fā)光波長適宜光纖低損通信等。這些特征決定了其在射頻、光電子、移動通信、數(shù)據(jù)通信等多項領(lǐng)域的廣泛應用。未來，在數(shù)據(jù)中心、5G通信、可穿戴設備等新興市場需求的帶動下，磷化銦襯底市場規(guī)模將持續(xù)擴大，成本也將隨著規(guī)模效應而降低，進一步促進下游應用領(lǐng)域的發(fā)展。
磷化銦襯底可應用于5G通信、數(shù)據(jù)中心和可穿戴設備
在磷化銦產(chǎn)品方面，鑫耀半導體的主營產(chǎn)品為磷化銦襯底，可提供規(guī)格為2英寸、3 英寸、4英寸、6 英寸。可廣泛應用于光模塊器件、傳感器件、射頻器件，以及對應的下游5G通信、數(shù)據(jù)中心、人工智能、無人駕駛、可穿戴設備等終端領(lǐng)域。
（1）光模塊器件
光模塊是光通信的核心器件，是通過光電轉(zhuǎn)換來實現(xiàn)設備間信息傳輸?shù)慕涌谀K，主要應用于通信基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。磷化銦襯底用于制造光模塊中的激光器和接收器。
5G通信是具有高速率、低時延和大連接特點的新一代寬帶移動通信技術(shù)。5G基站對光模塊的使用量顯著高于4G基站，隨著5G基站建設的大規(guī)模鋪開，疊加 5G 基站網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)的變化，將極大帶動對光模塊需求的增長。
數(shù)據(jù)中心主要服務于云計算廠商、大型互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)、通信運營商、金融機構(gòu)、政府機關(guān)等的數(shù)據(jù)流量需求。近年來隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的普及，數(shù)據(jù)流量增長迅速，帶動云計算產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，刺激了數(shù)據(jù)中心建設需求的增長，同時帶動了對數(shù)據(jù)中心光模塊需求的增長。
受益于全球范圍內(nèi)5G基站大規(guī)模建設的鋪開，以及在數(shù)據(jù)流量爆發(fā)增長的背景下，全球云計算產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也將帶動全球范圍內(nèi)數(shù)據(jù)中心的大量建設，全球光通信行業(yè)將迎來重要發(fā)展機遇期，從而產(chǎn)生對光模塊需求的持續(xù)增長。在市場需求的帶動及我國政府新基建等政策的影響下，全球光模塊市場將保持快速增長態(tài)勢。
（2）傳感器件
由于磷化銦具備飽和電子漂移速度高、導熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，使用磷化銦襯底制造的可穿戴設備具備脈沖響應好、信噪比好等特性。因此，磷化銦襯底可被用于制造可穿戴設備中的傳感器，用于監(jiān)測心率、血氧濃度、血壓甚至血糖水平等生命體征。此外，使用磷化銦襯底制造的激光傳感器可以發(fā)出不損害視力的不可見光，可應用于虛擬現(xiàn)實（VR）眼鏡、汽車雷達等產(chǎn)品中。
（3）射頻器件
磷化銦襯底在制造高頻高功率器件、光纖通信、無線傳輸、射電天文學等射頻器件領(lǐng)域存在應用市場。使用磷化銦襯底制造的射頻器件（以下簡稱“磷化銦基射頻器件”）已在衛(wèi)星、雷達等應用場景中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。磷化銦基射頻器件在雷達和通信系統(tǒng)的射頻前端、模擬/混合信號寬帶寬電路方面具有較強競爭力，適合高速數(shù)據(jù)處理、高精度寬帶寬A/D轉(zhuǎn)換等應用。此外，磷化銦基射頻器件相關(guān)器件如低噪聲放大器、模塊和接收機等器件還被廣泛應用于衛(wèi)星通信、毫米波雷達、有源和無源毫米波成像等設備中。在100 GHz以上的帶寬水平，使用磷化銦基射頻器件在回程網(wǎng)絡和點對點通信網(wǎng)絡的無線傳輸方面具有明顯優(yōu)勢，未來在6G通信甚至7G通信無線傳輸網(wǎng)絡中，磷化銦襯底將有望成為射頻器件的主流襯底材料。
最后，誠摯邀請您蒞臨第十七屆全國MOCVD學術(shù)會議（MOCVD 2022）鑫耀半導體展位參觀、交流及業(yè)務洽談，現(xiàn)場蒞臨展臺面對面高效交流。
屆時還能和參加MOCVD 2022的專家學者、工程技術(shù)人員和企業(yè)家圍繞MOCVD生長機理與外延技術(shù)、MOCVD設備（整機/部件/配件/原材料）、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子器件、電力電子器件、微波射頻器件、LED智能照明與物聯(lián)網(wǎng)、半導體激光器、光伏/光探測器、可見光通信技術(shù)等領(lǐng)域開展廣泛交流，了解發(fā)展動態(tài)，促進相互合作。
更多會議詳情如下：
大會熱烈歡迎MOCVD及相關(guān)領(lǐng)域的專家、學者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流！
會議詳情請關(guān)注官網(wǎng)：http://www.mocvd.org.cn/。
