專利摘要顯示，本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種 940nm LED 芯片及其制作方法。940nm LED 芯片包括從下至上依次設置的背面電極、GaAs 襯底、N?AlGaAs 擴展層、N?AlGaAs 限制層、多量子阱有源層、P ?AlGaAs 限制層、P?AlGaAs 擴展層、GaAs 歐姆接觸層、ITO 層和正面電極；所述 GaAs 歐姆接觸層采用圖案化結構，所述 GaAs 歐姆接觸層包括 GaAs 空缺部和 GaAs 余留部，所述 ITO 層的下表面與所述 GaAs 歐姆接觸層的結構相適配，使得 ITO 材料將所述 GaAs 空缺部填充，且所述 GaAs 余留部嵌入至所述 ITO 層中；所述 GaAs 余留部包括由內向外依次設置的 GaAs 中心島、GaAs 接觸點陣和 GaAs 環形外圍通過該結構可以有效提高芯片的長期可靠性、穩定性和抗靜電能力，并兼顧較高的發光效率。

天眼查資料顯示，南昌凱迅光電股份有限公司，成立于2015年，位于南昌市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業。企業注冊資本36452.075萬人民幣，實繳資本36452.075萬人民幣。通過天眼查大數據分析，南昌凱迅光電股份有限公司共對外投資了2家企業，參與招投標項目8次，財產線索方面有商標信息8條，專利信息105條，此外企業還擁有行政許可22個。