由于終端市場需求趨緩，在供給提升速度大于需求增長速度下，TrendForce旗下拓墣產業研究所預估2016年全球晶圓代工產值年增長僅2.1%，半導體大廠的競爭將更加激烈。
2016年，三大半導體制造大廠資本開支金額預期較去年增長5.4%，其中，英特爾調升30%，達95億美元；臺積電調升17%，達95億美元；三星則逆勢調降15%，來到115億美元。拓墣表示，今年半導體大廠的資本開支預計至2017年才有機會對營收產生貢獻。
臺積電
專注制程開發、深耕InFo技術
中國南京廠建置為2016年三大重點
拓墣表示，半導體三巨頭中臺積電是唯一的純晶圓代工廠，與客戶無直接競爭關系，可專注于制程技術的開發。
2016年臺積電資本開支約70%用于先進制程的開發，其中大部分用在10納米制程技術，可見臺積電對10納米制程研發的重視。資本開支的10%則持續投入InFO技術的開發，InFO技術有散熱佳、厚度和面積縮小、成品穩定度高的優勢，已有少數大客戶開始投單，預期未來將有更多客戶陸續投入。
為了就近服務廣大的中國市場，臺積電規劃30億美元用于中國南京12寸廠的建置，預期在2018年投產。今年南京廠計劃先投入5億美元，2017與2018年將增加投資力道。
三星電子
智能手機業務前景不明，
2016年半導體事業將是重心
智能手機是三星最重要的業務，在終端市場需求趨緩、手機差異化縮小的情況下，三星受到蘋果與中國本土品牌的激烈競爭。根據三星財報顯示，2015年營收同比衰退2.6%，凈利下滑20.6%。相較智能手機，去年三星的半導體營收同比增長20%、內存年增長17%，大規模集成電路（LSI）業務則同比增長約27.7%，表現十分亮眼。
拓墣指出，2016年三星的智能手機業務拓展仍不樂觀，除加速開發創新業務，將更加重視晶圓代工業務，采取積極搶單的策略。2016年三星115億美元的資本開支中，大規模集成電路業務會維持與2015年35億美元的相同水平。
英特爾
維持制程領先地位
擴展內存相關業務
英特爾雖然在14/16納米制程技術開發上超車，但臺積電與三星若在10納米的技術上趕超，將使英特爾在CPU產品上面臨強大的競爭壓力，嚴重挑戰英特爾自1995年來的領先地位。2016年英特爾將持續擴大資本開支以維持制程領先，相關資本開支約達80億美元。
在數據中心的競爭中，2015年英特爾與美光聯合發表包含3D-NAND與Xpoint等用于內存的技術，此外更宣布投資25億美元把大連廠打造成內存制造廠。2016年英特爾的資本開支中約有15億美元將投資在內存相關業務。
