為了深入交流MOCVD技術領域研發的新理論、新進展及其在材料應用領域的新動態、新成果；探討現有問題和未來發展方向；促進產學研結合進程，加快我國MOCVD技術創新及推廣應用，2016年8月16-19日，第十四屆全國MOCVD學術會議將在具有朝鮮族民族特色的邊疆開放城市，素有“歌舞之鄉”美稱的延吉市舉行。
本屆會議由中國有色金屬學會主辦，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、發光學及應用國家重點實驗室、應用光學國家重點實驗室和半導體照明聯合創新國家重點實驗室等單位承辦，吉林省科技廳和延邊市科技局也將予以大力協助和支持。
全國MOCVD學術會議作為MOCVD生長技術和化合物半導體材料器件研發交流的平臺，自1989年第一屆會議舉辦以來，已經成功舉辦了十三屆，28年的傳承與積淀使大會成為全國學術界和產業界廣泛關注的學術盛會，規模和影響不斷擴大。2016年8月16-19日，全國MOCVD頂級專家將齊聚第十四屆全國MOCVD學術會議，圍繞“新形勢下的MOCVD+”主題，深入探討在新型學科，新材料不斷涌現；新技術、新產品不斷出現的背景下，MOCVD將如何繼續發揮其應有的作用和巨大的發展潛力。
據大會組委會介紹，今年大會將在內容與形式上嘗試創新與突破，屆時，來自大陸和臺港地區的與會學者、工程師和企業家將齊聚一堂，圍繞MOCVD生長技術、MOCVD設備研發、材料結構與物性、以及光電子、電力電子器件、微波射頻器件研發等領域開展廣泛交流，了解發展動態，促進相互合作，推動我國MOCVD學術研究、技術進步以及第三代半導體產業發展的大力發展。
目前，大會各個分會正積極有序推進，會議征文內容也按照外延生長機理和生長動力學；外延結構與物性；光電子材料與器件；電子材料與器件；其他材料與器件；封裝技術及封裝材料；設備研制與開發和襯底、MO源、高純氣體等基礎材料廣泛征文。
據了解，目前組委會已陸續收到高質量論文數篇。自論文征集活動開始以來，受到各大科研院所、機構及高校、企業等科研、技術人員的積極參與。組委會相關人士表示，“凡符合會議征文要求的所有征集到的論文摘要均被編入會議文集，優秀論文將被推薦至發光學報（EI）發表，并有機會遴選為會議現場POSTER展示交流。“
目前，征文仍在火熱進行，歡迎優秀論文投稿。如有意投稿的作者，請于2016年6月15日前，通過電子郵件方式提交給會議組委會秘書組（mocvd14 @ciomp.ac.cn）。
征文內容：
1．外延生長機理和生長動力學
2．外延結構與物性
3．光電子材料與器件
4．電子材料與器件
5．其他材料與器件
6．封裝技術及封裝材料
7．設備研制與開發
8. 襯底、MO源、高純氣體等基礎材料
征文要求：
1．符合上述征文內容要求的論文摘要；
2．論文摘要主題突出，內容層次分明，數據準確，論述嚴謹，結論明確，采用法定計量單位；
3．論文摘要以WORD文檔形式準備，包含標題、作者及其單位地址、正文、參考文獻等在內不超過一頁A4紙，相關模板可登錄 http://www.mocvd14.org下載；
4. 2016年6月15日前，通過電子郵件方式提交給會議組委會秘書組（mocvd14 @ciomp.ac.cn）；
論文征集熱線：
黎大兵 lidb@ciomp.ac.cn 18686638484；
孫曉娟 sunxj@ciomp.ac.cn
會議報名/商務贊助熱線：
賈欣龍 jiaxl@china-led.net 18310277858
張威威 zhangww@china-led.net 13681329411
唐林冬 tangld@china-led.net 13911869210
有關“第十四屆全國MOCVD學術會議”的更多詳情及最新動態請關注會議官網：www.mocvd14.org
