MOCVD是在氣相外延生長（VPE）的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ－V族、Ⅱ－Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
MOCVD技術自20世紀60年代提出以來，取得了飛速進步，已經廣泛應用于制備氮化物、砷化物、磷化物、碲化物、氧化物等重要半導體材料及其量子結構，極大地推動了光電器件和電子器件的發展及產業化，也成為半導體超晶格、量子阱、量子線、量子點結構材料與器件研究的關鍵技術。
根據Technavio統計，全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14％，市場規模將從2016年的6．148億美元增加到2021年的11．628億美元。市場不斷增長的趨勢下，MOCVD技術的發展對化合物半導體科學技術和產業發展具有深遠的影響。
近日，第十五屆全國MOCVD學術會議論文征集工作正式啟動。據悉，本次會議將于2018年8月21-24日在紅色文化聞名中外的江西井岡山舉行。作為MOCVD技術和化合物半導體材料器件研發交流的平臺，自1989年第一屆會議舉辦以來，“全國MOCVD學術會議”已經成功舉辦了十四屆，會議規模和影響力越來越大，成為全國學術界和產業界廣泛參與的學術盛會。
今年大會將圍繞“MOCVD與智能光電”主題，深入探討在新形勢下，新型學科、新材料、新技術、新結構、新產品不斷涌現的背景下，MOCVD將如何繼續順應時代和產業需求，發揮其應有的作用和巨大的發展潛力。會議將由中國有色金屬學會主辦，南昌大學、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA ）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、半導體照明聯合創新國家重點實驗室共同承辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司等單位協辦。
屆時，來自祖國大陸和港澳臺地區的與會專家學者、工程技術人員和企業家將圍繞MOCVD生長機理與外延技術、MOCVD設備（整機/部件/配件/原材料）、材料結構與物性、光電子器件、電力電子器件、微波射頻器件、LED智能照明與物聯網、半導體激光器、光伏/光探測器、可見光通信技術等領域開展廣泛交流，了解發展動態，促進相互合作。這次會議也必將對我國MOCVD學術研究、技術進步及第三代半導體產業發展起到有力的推動作用。
據組委會介紹，目前，會議征文和報名工作正有序進行中。今年會議征文工作特面向：外延生長機理和生長動力學，外延結構與物性，光電子材料與器件，電子材料與器件，其他材料與器件，封裝技術及封裝材料，設備研制與開發和襯底、MO源、高純氣體等基礎材料在內八個方面展開征文。凡符合會議征文要求的所有征集到的論文摘要均被編入會議文集，優秀論文將被推薦至發光學報（EI）發表，并有機會遴選為會議現場POSTER展示交流。
大會熱烈歡迎MOCVD及相關領域的專家、學者、行業企事業單位參會交流！如有意向，可通過如下方式進行報名。
會議注冊費
1.普通代表（A類票）：
2500元（含會議文集、日程等會議資料及會議期間相關服務）
2.學生代表（B類票）：
2000元（與普通代表會議待遇相同，但須提交相關證件）
7月13日前報名繳費可享受優惠： 普通代表2300元；學生代表1800元。
注冊費繳費方式：
1.通過銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬號：336356029261
名稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
會議信息及聯系人
1.會議網站：http://www.mocvd.org.cn
2.聯系人
論文征集
方芳：18679108131 E：papertomocvd15@ncu.edu.cn
參會咨詢
張亞芹：010-82387600-655 E：zhangyq@china-led.net
商務合作
張威威：13681329411 E：zhangww@china-led.net
賈欣龍：18310277858 E：jiaxl@china-led.net
許薊鴻：13466648667 E：xujh@china-led.net
