眾創空間
中國工程院院士、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任干勇在6月25日舉行的“第三代半導體創新戰略發布會”上表示，第三代半導體是我國在研發、應用上與發達國家差距較小，甚至有些地方是領先的，以后將會是我國新材料非常值得驕傲的領域。
在國際第三代半導體眾聯空間等支持下，我國第三代半導體科研等當前推進迅速。科技日報記者在采訪中了解到，由北京華商三優新能源科技有限公司、泰科天潤半導體科技（北京）有限公司等共同開展的大功率碳化硅器件新型充電樁在北京通州馬駒橋充電場站投入應用。該充電樁運行穩定，電能轉化效率高達96%，大大提高了充電效率與充電時間。
眾聯空間總經理林蕓說，該新型充電樁示范工程就是在國際第三代半導體眾聯空間內孵化的。國際第三代半導體眾聯空間于2015年5月成立，圍繞以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等為代表的第三代半導體器件和模塊的技術應用項目，提供專業科技服務，獨創出以“生態+平臺+金融+體系+市場”五位一體的聯盟孵化新模式。
聚焦變革，打造專業化的眾創眾聯
第三代半導體材料及應用已成為全球半導體研究前沿和產業熱點，我國正在通過國家重點研發計劃等進行重要部署。如“中低壓SiC材料、器件及其在電動汽車充電設備中的應用示范”項目是我國2016年戰略性先進電子材料重點專項啟動首批27個項目之一。
林蕓說，國際第三代半導體眾聯空間，依托國際半導體照明聯盟、國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟等三大聯盟應運而生。獨創出的“五位一體”聯盟孵化新模式，有效整合了價值鏈優勢互補的科研力量，開展跨領域的基礎前沿性技術研究；聯合完整產業鏈上的骨干企業，開展共性關鍵技術、創新應用技術、單項技術集成與系統解決方案研究；對接地方資源，實現技術成果的孵化轉化和應用示范；聚集國際智力資源，形成技術和產業思想庫，為我國搶占第三代半導體戰略高地實現“彎道超車”提供巨大動力。
如泰科天潤半導體科技（北京）有限公司聯合中國科學院半導體研究所，成功研制出了1200V碳化硅器件并實現小批量化生產，掌握了SiC MOSFET器件設計、關鍵工藝和制造等全套技術，成為國際上少數幾個能提供SiC MOSFET器件的公司，為打破國外技術壟斷奠定良好基礎。
科技部高新技術中心材料處處長史冬梅也表示，通過眾聯空間等，“中低壓SiC材料、器件及其在電動汽車充電設備中的應用示范”項目順利實施，將使我國率先實現碳化硅材料在電力系統中的應用，占領國際制高點，對推進智能電網建設，保障我國能源安全和推進全球能源互聯網具有重大意義。
聚焦創業，打造產業發展新引擎
林蕓說，國際第三代半導體眾聯空間以“大企業需求”為導向，特設立產業投資基金池，孵化光電子、電力電子、微波射頻領域項目，打造有利于中小微創新創業項目成長的產業發展平臺。
為了更好地提供專業科技服務，眾聯空間采用“1+1+2+6”服務模式。即“1”套物理空間、“1”場品牌活動、“2”個公共技術服務平臺（線上+線下），“6”大專業化科技服務模塊，即包括創業導師服務、校企工程師苗圃、產業渠道服務、人才直聘服務、投融資服務、虛擬孵化服務。
林蕓說，該模式是眾聯空間打造專業化眾創空間的強勁引擎，將持續為第三代半導體材料及應用的不斷創新注入強大動力，為“大眾創業、萬眾創新”搭建科技支撐、人才支撐、核心技術支撐,實現中小企業與政府、大學和科研院所、大企業、行業聯盟的多方共贏。
據統計，目前眾聯空間內已有40多家企業入駐，100%的企業為專業領域企業，80%為博士團隊組建，依托聯盟大企業資源的聯合孵化模式優越性慢慢突顯。
聚焦創新，打造行業服務平臺
為了更好地發掘國內外創新創業項目，整合國內和國際第三代半導體的優勢資源，眾聯空間品牌活動——國際第三代半導體創新創業大賽于今年4月被定為中國創新創業大賽專業賽之一，這是首次以專業聯盟牽頭主辦的專業賽事納入中國創新創業大賽體系。
林蕓說，2016年首屆國際第三代半導體創新創業大賽，在科技部火炬中心指導下，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟聯合主辦。首屆大賽共吸引全球269個項目參賽，涉及中國、意大利、荷蘭、美國、德國等5個國家及40所頂級高校院所。
在大賽期間，100多家行業龍頭企業參與大賽并發布9個招標命題，命題全部對接完成；100多家投資機構成立10億元投資基金池，實現股權融資5億元。
2017年國際第三代半導體創新創業大賽已于今年6月25日啟動，設立京津冀、東北、長三角、南方、西南、國際等八大分賽區。林蕓說，本屆大賽將繼續秉承“政府引導、公益支持、市場機制”方式，通過大企業帶小項目申報、設立投融資金、開設大企業“招賢榜”、設立大賽創業投資引導基金、融合互聯網+、搭建國際交流平臺等多項創新舉措，運用市場化的選拔機制和多元化的服務體系，努力搭建第三代半導體創新服務平臺。
