兩大國際論壇，26場同期會議，180余位報告人 --跨界融通創(chuàng)新，攜手共贏未來！

 

　　近年來，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料引發(fā)全球矚目，成為全球半導體研究開發(fā)的前沿和熱點。該半導體材料可實現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力，被譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，以及光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機”。在半導體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子領域擁有廣闊的應用前景。

 

　　搶占第三代半導體材料戰(zhàn)略制高點

 

　　從國際競爭角度看，美、日、歐等發(fā)達國家已將第三代半導體材料列入國家計劃，并展開全面戰(zhàn)略部署，欲搶占戰(zhàn)略制高點。

 

　　我國政府高度重視第三代半導體材料的研究與開發(fā)，從2004年開始對第三代半導體領域的研究進行了部署，啟動了一系列重大研究項目，2013年科技部在863計劃新材料技術領域項目征集指南中明確將第三代半導體材料及應用列為重要內(nèi)容。

 

　　2016年2月19日，科技部正式發(fā)布 “戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項第三代半導體材料與半導體照明、新型顯示、大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料等4個方向部署35個任務，專項實施年限為5年，即2016 ~ 2020年。該重點專項總目標是面向國家在節(jié)能環(huán)保、智能制造、新一代信息技術領域?qū)?zhàn)略性先進電子材料的迫切需求，支撐“中國制造2025”、“互聯(lián)網(wǎng) +”等國家重大戰(zhàn)略目標，瞄準全球技術和產(chǎn)業(yè)制高點，抓住我國“換道超車”的歷史性發(fā)展機遇，以第三代半導體材料與半導體照明、新型顯示為核心，以大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料為重點，通過體制機制創(chuàng)新、跨界技術整合，構建基礎研究及前沿技術、重大共性關鍵技術、典型應用示范的全創(chuàng)新鏈，并進行一體化組織實施。培養(yǎng)一批創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊，培育一批具有國際競爭力的龍頭企業(yè)，形成各具特色的產(chǎn)業(yè)基地。

 

　　此外，為貫徹實施制造強國戰(zhàn)略，加快推進新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，國務院于2016年年底成立國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展領導小組。2017年2月28日，我國成立國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會。中共中央政治局委員、國務院副總理、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展領導小組組長馬凱親自為每位委員頒發(fā)聘書。其中，中國工程院院士干勇任專家咨詢委員會主任，中科院副院長、院士張濤，北京航空航天大學校長、院士徐惠彬，東華大學副校長、院士俞建勇，中國航天科技集團航天材料及工藝研究所副所長、院士李仲平和北京科技大學原副校長、院士謝建新任專家咨詢委員會副主任。國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）秘書長吳玲、中科院半導體研究所副所長陳弘達等42位專家受聘為委員會成員。專家咨詢委員會的成立勢必為推動我國新材料產(chǎn)業(yè)快速健康發(fā)展提供智力支撐、作出更大貢獻。

 

　　吳玲秘書長也曾表示：“當前全球第三代半導體技術產(chǎn)業(yè)正處于快速發(fā)展的窗口期，它的發(fā)展受到了各國政府以及更大范圍產(chǎn)業(yè)的重視和支持。氮化鎵是第三代半導體材料的典型代表。在過去十年中，在半導體照明的拉動下，氮化鎵無論是材料和器件都得到了大幅的發(fā)展。未來氮化鎵需要跟更多的應用需求相結合，并將在電力電子、通訊等領域有更廣闊的發(fā)展空間。同時也將帶動更多的下游應用領域的快速發(fā)展。”

 

　　業(yè)內(nèi)專家也認為，我國在第一代、第二代半導體材料及集成電路產(chǎn)業(yè)上的多年落后、很難追趕國際先進水平的形勢不同，我國在第三代半導體領域的研究工作一直緊跟世界前沿，工程技術水平和國際先進水平差距不大，已經(jīng)發(fā)展到了從跟蹤模仿到并駕齊驅(qū)、進而可能在部分領域獲得領先和比較優(yōu)勢，并且有機會實現(xiàn)超越。

 

　　2017國際第三代半導體論壇看風向

 

　　為助力中國第三代半導體行業(yè)發(fā)展提質(zhì)增效，更好地整合國內(nèi)外第三代半導體行業(yè)的優(yōu)勢資源，實現(xiàn)中國半導體行業(yè)迅速崛起。在科技部、發(fā)改委、工信部及北京政府等相關部門大力支持下，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和中關村科技園區(qū)順義園管理委員會主辦的2017國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）將于2017年11月1-3日在北京首都機場希爾頓酒店召開。

 
 

　　2017國際第三代半導體論壇是第三代半導體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是全球性、高層次的綜合性論壇。論壇以促進第三代半導體與電力電子技術、移動通信技術、紫外探測技術和應用的國際交流與合作，引領第三代半導體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。論壇中外方主席由中華人民共和國科學技術部原副部長曹健林和美國國家工程院院士、加利福尼亞大學杰出教授，Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA分別擔任。
 

兩大國際論壇，26場同期會議，180余位報告人，一次全面了解產(chǎn)業(yè)新風向！
 

　　2017國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）緊跟國際政策及產(chǎn)業(yè)發(fā)展前沿動向精心主題策劃，得到了眾多業(yè)內(nèi)專家的指導和認可。除了開閉幕大會外，也設置了包括“碳化硅材料與器件”、“氮化鎵功率電子器件”、“SiC/GaN電力電子封裝、模塊與可靠性”、“第三代半導體與微波射頻技術”、“第三代半導體與固態(tài)紫外器件”、“超寬禁帶半導體及其它新型半導體材料”和第三代半導體專業(yè)技術培訓七場專題技術分會。每場會議均邀請了第三代半導體各細分領域頂尖國內(nèi)外專家進行主題報告深度講解，論壇全面覆蓋行業(yè)基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創(chuàng)新發(fā)展，全面講解第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新趨勢、新發(fā)展和新風向。
 

　　除此之外，同期還有第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2017）、國際半導體照明聯(lián)盟(ISA)成員大會、國際第三代半導體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽、國際半導體照明先進技術培訓會、第三代半導體專業(yè)技術培訓會、中日先進半導體交流會，以及國際半導體尖端技術和產(chǎn)品展示等等。

 

往屆論壇現(xiàn)場

　　面對不斷變化的國內(nèi)國際形勢，兩場國際性盛會同臺亮相，匯集全球行業(yè)精英齊聚北京，多維度挖掘LED與第三代半導體發(fā)展新機遇，共話產(chǎn)業(yè)發(fā)展。距離論壇召開的時間越來越近，最新的論壇進展消息，敬請持續(xù)關注中國半導體照明網(wǎng)。