10月23-25日，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）將在深圳會展中心舉行。24日上午，碳化硅材料與電力電子器件分會在山東大學徐現剛教授和美國倫斯勒理工學院周達成教授主持下隆重召開。

 

　　本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市龍華區政府主辦，國家科學技術部高新技術發展及產業化司、國家科學技術部國際合作司、國家工業與信息化部原材料工業司、國家節能中心、深圳市科技創新委員會和張家港高新技術產業開發區特別支持，深圳市龍華區經濟促進局、深圳市龍華區科技創新局、深圳第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

 

　　“碳化硅材料與電力電子器件”分會作為論壇常設技術分會之一，由深圳基本半導體有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所協辦支持，浙江大學教授、博士生導師盛況與山東大學教授徐現剛共同擔任分會主席。中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員柏松， 中國科學院物理研究所研究員陳小龍，東莞市天域半導體科技有限公司副總經理孫國勝擔任分會委員，與多位國內外的權威專家共同坐鎮。

 

　　會上，來自美國倫斯勒理工學院周達成教授、 美國GT Advanced Technologies首席技術官P.S. RAGHAVAN、瑞典皇家工程學院工程科學院教授Mietek BAKOWSKI、株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業部副總經理研發中心主任戴小平、深圳基本半導體有限公司副總經理張振中、PowerAmerica執行副總裁兼首席技術官/美國北卡羅萊納州立大Victor VELIADIS教授、瑞典Ascatron AB 首席技術官Adolf SCHÖNER和香港應用科技研究院功率器件組總監袁述一起，從各自擅長領域介紹和分析了當前碳化硅材料與電力電子期間的前沿研究進展。

 

　　首先，來自美國倫斯勒理工學院的周達成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩健性》；

 

　　高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術的最新進展》技術報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術的最新進展。

 

　　瑞典皇家工學院工程科學院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典視角分享了《WBG電力設備的現狀和采用前景》，報告中介紹了由瑞典創新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅電力中心資助的選定工業和研究項目的概況和重點。示例展示了基于WBG的電力電子能量轉換系統在各種應用中的節能方面的革命性進展。簡要介紹了瑞典材料、技術和設備研發領域的相關項目。

 

　　株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業部副總經理研發中心主任戴小平介紹了《多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊》技術報告；

　　深圳基本半導體有限公司副總經理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設計引入到量產工藝開發直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術IP和產業化經驗。

美國電力副執行主任兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；

瑞典Ascatron AB 首席技術官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調制》技術報告；

 

　　矩陣轉換器被認為是一種最優異的交流-交流功率轉換結構，因為其主要依賴于雙向開關而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉換效率，而且可以突破傳統的通用逆變器所存在的開關切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進功率器件封裝的應用將帶來新一代矩陣轉換器的重大發展與變革。香港應用科技研究院功率器件組總監袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報告，報告中回顧矩陣轉換器以及基于SiC器件的ASTRI最近的研究進展。【根據會議資料整理，如有出入敬請諒解！】