本屆論壇由科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司、國家發(fā)展和改革委員會西部開發(fā)司、國家發(fā)展和改革委員會資源節(jié)約和環(huán)境保護(hù)司、國家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)二部、深圳市科技創(chuàng)新委員會等政府部門支持，張家港高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)給予特別支持。國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)政府聯(lián)合主辦。深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦，并有近50家跨區(qū)域的組織機(jī)構(gòu)提供智力支持。

 

  作為行業(yè)年度盛會，本屆論壇將以“創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)”主題，聚焦半導(dǎo)體照明技術(shù)、第三代半導(dǎo)體材料等前沿進(jìn)展，同期幾十場不同類型、規(guī)格的分會，兼顧現(xiàn)在與未來，以最寬廣的視角，看產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
 

  其中，“碳化硅材料與電力電子器件技術(shù)”分會涵蓋SiC襯底、同質(zhì)外延和電力電子器件技術(shù)，廣泛征集優(yōu)秀研究成果，將邀請國內(nèi)外知名專家參加本次會議，充分展示碳化硅材料及電力電子器件技術(shù)的最新進(jìn)展。據(jù)組委會透露，目前碳化硅電力電子器件技術(shù)專場分會，陣型已出，大腕云集，看點(diǎn)十足。同時為了全方位保證分會的高水準(zhǔn)，分會采用主席+分會團(tuán)的模式，兼顧產(chǎn)學(xué)研，每一環(huán)節(jié)都有超強(qiáng)專家的鼎力支持。
 

   浙江大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師盛況與山東大學(xué)教授徐現(xiàn)剛將共同擔(dān)任分會主席。盛況主要從事電力電子器件及電力電子集成電路領(lǐng)域的研究，主持國家863項(xiàng)目、國家科技重大專項(xiàng)項(xiàng)目、國家自然基金項(xiàng)目，以及其他省部級項(xiàng)目等近10項(xiàng)。徐現(xiàn)剛師從于蔣民華院士，主要從事半導(dǎo)體材料制備及其應(yīng)用研究的工作。自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導(dǎo)體薄膜材料的生長及器件應(yīng)用工作，制備出多種量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，應(yīng)用到多種半導(dǎo)體器件。自2000年開始SiC單晶生長和加工工作，先后突破了2~6英寸SiC單晶的生長與襯底加工技術(shù)，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，制備出基于SiC襯底的GaN超高亮度發(fā)光二極管。
 

  分會委員團(tuán)隊(duì)同樣星光熠熠，力邀多位國內(nèi)外的權(quán)威專家共同坐鎮(zhèn)。分會委員柏松，中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員，一直致力于SiC器件的研發(fā)，在國內(nèi)首先實(shí)現(xiàn)了擊穿電壓超過10kV的SiC肖特基二極管和SiC PiN二極管，在高壓SiC JFET和SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)方面也取得了重要成果。
 

  分會委員陳小龍，中國科學(xué)院物理研究所研究員，德國海德堡大學(xué)和巴洛意特大學(xué)洪堡學(xué)者。長期從事寬禁帶半導(dǎo)體材料和新功能晶體材料探索方面的研究工作，系統(tǒng)開展了碳化硅晶體生長的基礎(chǔ)和應(yīng)用開發(fā)研究工作，解決了多項(xiàng)關(guān)鍵科學(xué)問題和系列關(guān)鍵技術(shù)，生長出2-4英寸高質(zhì)量晶體；攻克了晶體制備重復(fù)性和穩(wěn)定性等關(guān)鍵工程化問題，在國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅晶體的產(chǎn)業(yè)化。
 

  分會委員孫國勝，東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司副總經(jīng)理，主要從事第三代寬帶隙SiC（碳化硅）半導(dǎo)體外延材料生長、特性表征、以及SiC功率半導(dǎo)體器件研制工作。在“九五”、“十五”和“十一五”期間，廣泛開展了SiC半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)工作，其中包括MEMS器件用Si（硅）基SiC半導(dǎo)體材料異質(zhì)外延生長技術(shù)、SiC功率半導(dǎo)體器件用SiC同質(zhì)外延生長技術(shù)、以及SiC功率半導(dǎo)體器件和SiC MEMS器件制造技術(shù)。利用自有技術(shù)，先后研制出高溫SiC熱壁CVD外延生長設(shè)備（包括水平式與垂直式）、高溫退火裝置、高溫氧化裝置，并獲得國家發(fā)明專利和實(shí)用新型專利多項(xiàng)。
 

   除了強(qiáng)大的支持團(tuán)隊(duì)，眾多高質(zhì)量的精彩報告當(dāng)然是少不了的。美國倫斯勒理工學(xué)院教授周達(dá)成，GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN，瑞典皇家工學(xué)院工程科學(xué)院教授Mietek BAKOWSKI，美國電力副執(zhí)行主任兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis，瑞典Ascatron AB 首席技術(shù)官Adolf SCH?NER、香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述、中電科第十三研究所工程師劉佳佳、深圳基本半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張振中等國內(nèi)外精英們將圍繞碳化硅材料及電力電子器件技術(shù)研究，從不同角度，分享最新的研究進(jìn)展。
 

   超強(qiáng)的陣容組合，加上高質(zhì)量的內(nèi)容，本次分會將全方位呈現(xiàn)當(dāng)前碳化硅材料與電力電子器件的研究進(jìn)展，技術(shù)進(jìn)展如何？有哪些趨勢？……相信你想知道的，都會有答案。10月，我們深圳見！

會議日程