本屆論壇由科學技術部高新技術發展及產業化司、國家發展和改革委員會西部開發司、國家發展和改革委員會資源節約和環境保護司、國家工業與信息化部原材料工業司、國家標準化管理委員會工業標準二部、深圳市科技創新委員會等政府部門支持，張家港高新技術產業開發區給予特別支持。國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市龍華區政府聯合主辦。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，并有近50家跨區域的組織機構提供智力支持。

 

  作為行業年度盛會，本屆論壇將以“創芯聚智 共享生態”主題，聚焦半導體照明技術、第三代半導體材料等前沿進展，同期幾十場不同類型、規格的分會，兼顧現在與未來，以最寬廣的視角，看產業發展。
 

  其中，“碳化硅材料與電力電子器件技術”分會涵蓋SiC襯底、同質外延和電力電子器件技術，廣泛征集優秀研究成果，將邀請國內外知名專家參加本次會議，充分展示碳化硅材料及電力電子器件技術的最新進展。據組委會透露，目前碳化硅電力電子器件技術專場分會，陣型已出，大腕云集，看點十足。同時為了全方位保證分會的高水準，分會采用主席+分會團的模式，兼顧產學研，每一環節都有超強專家的鼎力支持。
 

   浙江大學教授、博士生導師盛況與山東大學教授徐現剛將共同擔任分會主席。盛況主要從事電力電子器件及電力電子集成電路領域的研究，主持國家863項目、國家科技重大專項項目、國家自然基金項目，以及其他省部級項目等近10項。徐現剛師從于蔣民華院士，主要從事半導體材料制備及其應用研究的工作。自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導體薄膜材料的生長及器件應用工作，制備出多種量子異質結構材料，應用到多種半導體器件。自2000年開始SiC單晶生長和加工工作，先后突破了2~6英寸SiC單晶的生長與襯底加工技術，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，制備出基于SiC襯底的GaN超高亮度發光二極管。
 

  分會委員團隊同樣星光熠熠，力邀多位國內外的權威專家共同坐鎮。分會委員柏松，中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員，一直致力于SiC器件的研發，在國內首先實現了擊穿電壓超過10kV的SiC肖特基二極管和SiC PiN二極管，在高壓SiC JFET和SiC MOSFET技術開發方面也取得了重要成果。
 

  分會委員陳小龍，中國科學院物理研究所研究員，德國海德堡大學和巴洛意特大學洪堡學者。長期從事寬禁帶半導體材料和新功能晶體材料探索方面的研究工作，系統開展了碳化硅晶體生長的基礎和應用開發研究工作，解決了多項關鍵科學問題和系列關鍵技術，生長出2-4英寸高質量晶體；攻克了晶體制備重復性和穩定性等關鍵工程化問題，在國內率先實現了碳化硅晶體的產業化。
 

  分會委員孫國勝，東莞市天域半導體科技有限公司副總經理，主要從事第三代寬帶隙SiC（碳化硅）半導體外延材料生長、特性表征、以及SiC功率半導體器件研制工作。在“九五”、“十五”和“十一五”期間，廣泛開展了SiC半導體技術的研發工作，其中包括MEMS器件用Si（硅）基SiC半導體材料異質外延生長技術、SiC功率半導體器件用SiC同質外延生長技術、以及SiC功率半導體器件和SiC MEMS器件制造技術。利用自有技術，先后研制出高溫SiC熱壁CVD外延生長設備（包括水平式與垂直式）、高溫退火裝置、高溫氧化裝置，并獲得國家發明專利和實用新型專利多項。
 

   除了強大的支持團隊，眾多高質量的精彩報告當然是少不了的。美國倫斯勒理工學院教授周達成，GT Advanced Technologies首席技術官P.S. RAGHAVAN，瑞典皇家工學院工程科學院教授Mietek BAKOWSKI，美國電力副執行主任兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis，瑞典Ascatron AB 首席技術官Adolf SCH?NER、香港應用科技研究院功率器件組總監袁述、中電科第十三研究所工程師劉佳佳、深圳基本半導體有限公司副總經理張振中等國內外精英們將圍繞碳化硅材料及電力電子器件技術研究，從不同角度，分享最新的研究進展。
 

   超強的陣容組合，加上高質量的內容，本次分會將全方位呈現當前碳化硅材料與電力電子器件的研究進展，技術進展如何？有哪些趨勢？……相信你想知道的，都會有答案。10月，我們深圳見！

會議日程