《規劃》中表示目標是到2025年，形成新片區集成電路綜合性產業創新基地的基礎框架。

 

其中，產業規模方面，集成電路產業規模將會突破1000億元，芯片制造、裝備材料主導地位進一步加強，芯片設計、封裝測試形成規模化集聚。園區集成電路產業投資強度1500萬元/畝，產出強度1500萬元/畝。

 

技術創新方面，先進工藝、成熟工藝、特色工藝進入國際前列，EDA工具、光刻膠、大硅片等關鍵“卡脖子”技術產業化取得突破，2種以上關鍵裝備進入全球領先制造企業采購體系。

 

企業培育方面，到2025年，引進培育5家以上國內外領先的芯片制造企業；形成5家年收入超過20億元的設備材料企業；培育10家以上的上市企業，圍繞5G、CPU、人工智能、物聯網、無人駕駛等細分領域發展壯大一批獨角獸設計企業。

 

人才集聚方面，匯聚超過2-5萬名碩士以上學歷的集成電路從業人員。

 

目前，新片區已引進華大、新昇、格科、聞泰、中微、寒武紀、地平線等40余家行業標桿企業，初步形成了覆蓋芯片設計、特色工藝制造、新型存儲、第三代半導體、封裝測試以及裝備、材料等環節的集成電路全產業鏈生態體系。

 

《規劃》中提出，將積極對接引進國內最先進工藝線放大項目，推進磁存儲器（MRAM）、3DNAND、半浮柵等新型存儲項目落地。

 

提升新片區芯片制造產業能級，夯實產業基礎。打造國內特色工藝生產高地，堅持市場需求與技術開發相結合，推動BCD、IGBT、CIS、MEMs等特色工藝研發與產業化，支持細分領域IDM項目建設。

 

推動化合物半導體產業實現由國內引領向國際領先跨越。推進6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工藝線建設，面向5G、新能源汽車等應用場景，加快化合物半導體產品驗證應用。