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淺述LED晶圓的制作工藝

本文闡述了LED晶圓的制作工藝,僅供參考。

LED襯底|基板(substrate)

通俗來講,LED和半導體激光器等的發光部分的半導體層,是在基板上生長結晶而成。采用的基板根據LED的發光波長不同而區分使用...

GaN氮化鎵(gallium nitride)

由鎵(Ga)和氮(N)構成的化合物半導體。帶隙為3.45eV(用光的波長表示相當于約365nm),比硅(Si)要寬3倍。利用該特性,GaN主要應...

外延生長|磊晶(epitaxial growth)

在合適的襯底基片上生長結晶軸相互一致的結晶層的技術。用于制作沒有雜質和缺陷的結晶層。包括在基片上與氣體發生反應以積累...

倒裝芯片(flip-chip bonding)

連接芯片表面和底板時,并不是像引線鍵合一樣那樣利用引線連接,而是利用陣列狀排列的,名為焊點的突起狀端子進行連接。與引...

檢測LED頻閃與頻閃效應的方法

LED頻閃效應指的是兩個概念。一是頻閃:即電光源光通量波動的深度,波動深度越大,頻閃深度越大。二是頻閃效應:即電光源頻閃...

淺述LED晶圓的制作工藝

本文闡述了LED晶圓的制作工藝,僅供參考。

LED照明迎來新增長 芯片原材料鎵和銦金屬受益

LED的核心材料是鎵(Ga)與砷(AS)、磷(P)、銦的化合物制成的半導體芯片的發光材料。目前,基于寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)和銦...

LED芯片使用過程中經常遇到的問題及解析方案

詳解LED芯片使用過程中經常遇到的問題及解析方案,僅供參考。

MOCVD技術在光電薄膜中的應用

MOCVD技術在半導體材料和器件及薄膜制備方面取得了巨大的成功。盡管如此,MOCVD仍是一種發展中的半導體超精細加工技術,MOCVD...

LED照明燈具對低壓驅動芯片的要求

LED照明燈具對低壓驅動芯片有什么要求:驅動芯片的標稱輸出電流要求大于1.2-1.5A,作為照明用的LED筒燈光源,1W功率的LED光源...

LED芯片的技術發展狀況

隨著外延生長技術和多量子阱結構的發展,超高亮度發光二極管的內量子效率己有了非常大的改善,如波長625 nm AlGaInP基超高亮...

LED照明燈具對低壓驅動芯片的要求

LED照明燈具對低壓驅動芯片有什么要求:驅動芯片的標稱輸出電流要求大于1.2-1.5A,作為照明用的LED筒燈光源,1W功率的LED光源...

LED芯片使用過程中經常遇到的問題及解析方案

詳解LED芯片使用過程中經常遇到的問題及解析方案,僅供參考。

可見光通信(visible light communications)

可見光通信指利用肉眼看得見的“可視光”傳遞信息的通信技術。主要利用照明器具和信號機等顯示設備以及汽車車燈等配備發光二...

淺析LED背光、LED顯示屏及OLED顯示屏的區別

LED背光是指用LED(發光二極管)來作為液晶顯示屏的背光源,而LED背光顯示器只是液晶顯示器的背光源由傳統的CCFL冷光燈管(類似...

知識普及:LED照明12大獨特優勢

節能可持續發展已不再是一個選擇性的問題,而是當今世界未來發展的必行之路。以LED為代表的新光源照明取代傳統光源,正引發照...

生產五部曲詮釋LED照明產品

自從產生外界照明以來,我們把照明劃分為三個時代:燈絲燈泡時代(白熾燈)、氣體燈泡時代(螢光燈)、半導體發光時代(LED)。而其...

解析LED正負極判別方法

LED節能燈焊接過程中,常遇到如何辨認發光二極管的正負極,這部尤其重要,燈亮不亮就在他了!

LED軟燈帶電源分類

LED軟燈帶電源按照不同的標準有其不同的分類方式,本文主要講解的是按照驅動方式的不同所進行的分類,可以發為穩壓式與恒流式...

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