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【IFWS 2016】Motoaki IWAYA:高性能紫外發(fā)射器和光傳感器的制備

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2016-11-21 11:09   瀏覽次數(shù):387
   11月15日-17日,2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體國際論壇(以下簡稱“跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)”)在北京國際會(huì)議中心舉行,第十三屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇并與之同期同地舉行。其中,11月17日上午舉行的第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件技術(shù)分會(huì)專家陣容強(qiáng)大,看點(diǎn)十足。
 
  該分會(huì)主持人由中科院蘇州納米所研究員、博士生導(dǎo)師、納米測試中心主任,蘇州納維科技有限公司董事長,中組部國家千人計(jì)劃、國家杰出青年基金獲得者徐科和中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員張韻及美國佐治亞理工學(xué)院教授Russell DUPUIS共同擔(dān)任。
 
  半導(dǎo)體照明是第三代半導(dǎo)體技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的第一個(gè)突破口,如今LED發(fā)光技術(shù)的進(jìn)步現(xiàn)已突破傳統(tǒng)的照明概念,并已開拓、發(fā)展LED發(fā)光新技術(shù)領(lǐng)域。沿長波方向,已從藍(lán)光拓寬到綠光、黃光、紅光,發(fā)展“超越照明”,開拓在生物、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、保健、航空、航天和通信等領(lǐng)域應(yīng)用;沿短波方向,現(xiàn)已發(fā)展高效節(jié)能、環(huán)境友好、智能化的“紫光光源”,期望逐步取代電真空紫外光源,引領(lǐng)紫外技術(shù)的變革,開拓紫光應(yīng)用廣闊領(lǐng)域。
 
  有數(shù)據(jù)顯示,紫外線LED應(yīng)用于光固化市場產(chǎn)值2021年將達(dá)1.95億美元, 2020年紫外線LED光固化模組的滲透率將來到50~60%。紫外LED殺菌與凈化應(yīng)用的市場產(chǎn)值2021年將達(dá)2.57億美元。
日本名城大學(xué)
  會(huì)上,來自日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA分享了“高性能紫外發(fā)射器和光傳感器的制備”研究報(bào)告。Motoaki Iwaya(巖谷素顕),名城大學(xué)理工學(xué)部材料機(jī)能工學(xué)科副教授,應(yīng)用物理學(xué)會(huì)、SPIE、材料研究學(xué)會(huì)和日本結(jié)晶成長學(xué)會(huì)會(huì)員。研究領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件、氮化物半導(dǎo)體的材料生長與器件制備、發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器、場效應(yīng)晶體管、太陽能電池和其他光元件,在APEX/JJAP/JCG/PSS等期刊上發(fā)表了180余篇論文。
 
  報(bào)告中指出,因?yàn)锳lGaN器件性能提高,EQE可以在藍(lán)寶石以及AlGaN的襯底上可以實(shí)現(xiàn),大概能夠提高10%,接下來的目標(biāo)就是UV結(jié)構(gòu)和光電傳感器應(yīng)用。我們要看看目前的現(xiàn)狀以及未來的前景,就是AlGaN紫外線。AlGaN紫外開發(fā)的現(xiàn)狀,未來將會(huì)出現(xiàn)一系列的應(yīng)用,半導(dǎo)體的應(yīng)用,還有紅外線的應(yīng)用。
 
  Motoaki IWAYA表示,之前我們討論過UVLD的輸入率,波長越短這個(gè)ALGaNUV雷射輻射率非常高達(dá)到360納米,實(shí)現(xiàn)更短的波長激光雷射用現(xiàn)有的輸入率,會(huì)受到限制。我們要實(shí)現(xiàn)很高的ARN很低,現(xiàn)在我們電子光束增強(qiáng)雷射激光,它的偏振會(huì)在ALGaN、GaN和P- GaN中解決,這可以解決我們現(xiàn)有輸入系統(tǒng)的問題。
 
  所以對(duì)我們ALGaNUV激光來講是非常有效的解決方案。進(jìn)一步擴(kuò)大我們氮化物半導(dǎo)體UV電子器件的性能。UV的光傳感器有以下幾個(gè)特征,ALGaN和GaN可以獲得非常高的光敏感度反射率非常高,超過10的6次方這樣一個(gè)峰值波長,波長是250納米。
 
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