- 2020-11-17 20:15【IFWS2020】聚焦新一代電源與充電技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的機(jī)遇挑戰(zhàn)
- 2020-11-11 15:07【IFWS2020】超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展與趨勢
- 2020-11-10 17:40【IFWS2020】功率電子器件及封裝技術(shù)前沿展望之氮化鎵專場
- 2020-11-10 16:49【IFWS2020】功率電子器件及封裝技術(shù)前沿展望之碳化硅專場
- 2020-11-05 16:28【IFWS 2020】微波射頻與5G移動(dòng)通信的發(fā)展契機(jī)與可能性
- 2016-11-25 15:44【IFWS 2016】Won-Jae LEE: 韓國SiC相關(guān)研究小組的最近研發(fā)現(xiàn)狀
- 2016-11-25 15:15【IFWS 2016】馮哲川: n + 4H SiC上的同質(zhì)外延4H-SiC薄膜和深紫外-紫外-可見光的光譜特性
- 2016-11-25 11:41【IFWS 2016】山東大學(xué)教授徐現(xiàn)剛: 橫向生長的碳化硅晶體位錯(cuò)減少
- 2016-11-22 13:32【IFWS 2016】劉揚(yáng): 基于選區(qū)外延技術(shù)制備具有高質(zhì)量MOS界面的Si襯底上凹槽柵增強(qiáng)型GaN基MOSFET
- 2016-11-22 13:09【IFWS 2016】Marianne GERMAIN：大直徑硅外延片上的氮化鎵高效率的功率切換
- 2016-11-22 13:02【IFWS 2016】陳敬: 詳解氮化鎵功率器件MIS門結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和可靠性
- 2016-11-22 13:00【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅襯底AlGaN/GaN基HEMT的異質(zhì)外延生長和器件特征
- 2016-11-22 12:58【IFWS 2016】程凱: 電力電子應(yīng)用的硅基氮化鎵平臺(tái)
- 2016-11-22 12:55【IFWS 2016】張翼: La2O3/SiO2鈍化和銅金屬化的氮化鎵增強(qiáng)型HEMT器件
- 2016-11-22 12:53【IFWS 2016】Mark Mackee: 單晶反應(yīng)腔技術(shù)到電力電子規(guī)模制造的GaN-Si MOCVD
- 2016-11-22 12:34【IFWS 2016】yuhao zhang: 電力電子采用的低成本高性能的垂直GaN二極管和晶體管
- 2016-11-22 11:12【IFWS 2016】Fred C. LEE: GaN引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革
- 2016-11-21 15:55【IFWS 2016】北京市科委雙新處副處長王紅梅: 北京高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
- 2016-11-21 08:39【IFWS 2016】孔月嬋：fT > 260 GHz時(shí)高性能超薄第四組InAlGaN勢壘HEMT器件
- 2016-11-21 08:37【IFWS 2016】呂元杰: 采用凹柵工藝提升AlGaN/GaN HFETs器件性能
- 2016-11-21 08:30【IFWS 2016】邱顯欽: 用SOI氮化鎵基板技術(shù)的高性能開關(guān)電源和頻射功率器件
- 2016-11-21 08:26【IFWS 2016】David Lishan: 氮化鎵基器件采用等離子切割的生產(chǎn)效益
- 2016-11-21 08:12【IFWS 2016】綦振瀛: 射頻通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生長
- 2016-11-19 15:40【IFWS 2016】河北半導(dǎo)體研究所王元?jiǎng)偅杭铀偻苿?dòng)GaN器件在無線通訊系統(tǒng)中的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用
- 2016-11-19 15:22【IFWS 2016】中興通訊射頻功放平臺(tái)總工劉建利：未來移動(dòng)通信基站GaN射頻功率器件漸成主流
- 2016-11-19 10:10【IFWS 2016】宇治原徹: 高質(zhì)量碳化硅的溶液生長研究
- 2016-11-19 10:04【IFWS 2016】周達(dá)成: 高電壓碳化硅功率器件的研究進(jìn)展
- 2016-11-19 09:58【IFWS 2016】Sima DIMITRIJEV教授: 電力電子設(shè)備的后硅時(shí)代
- 2016-11-18 19:00【IFWS 2016】全球頂級(jí)碳化硅電力電子器件專家聚焦前瞻研究（下）
- 2016-11-18 14:31【IFWS 2016】全球頂級(jí)碳化硅電力電子器件專家聚焦前瞻研究（上）
- 2016-11-18 12:30【IFWS 2016】北京市科委新能源處與新材料處長許心超：第三代半導(dǎo)體正處于發(fā)展的窗口期
- 2016-11-17 02:09【IFWS 2016】新一代移動(dòng)通信技術(shù)帶來的機(jī)遇和挑戰(zhàn)
相關(guān)搜索
今日搜索排行
本周搜索排行
本月搜索排行
