以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率、高抗輻射能力等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國(guó)防等發(fā)展的重點(diǎn)新材料，正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。
11月15日-17日，2016中國(guó)(北京)跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體國(guó)際論壇（以下簡(jiǎn)稱“跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)”）在北京國(guó)際會(huì)議中心舉行，第十三屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇并與之同期同地舉行。其中，在11月17日召開的“碳化硅電力電子器件技術(shù)分會(huì)”現(xiàn)場(chǎng)，聚集了來(lái)自全球各地頂尖專家，高質(zhì)量報(bào)告密集發(fā)布，亮點(diǎn)十足。
會(huì)上，來(lái)自澳大利亞格里菲斯大學(xué)微電子工程學(xué)院的Sima DIMITRIJEV教授分享電力電子設(shè)備的后硅時(shí)代主題報(bào)告。他在報(bào)告中，講述了硅的局限性和碳化硅以及氮化鎵作為電力開關(guān)器件的優(yōu)勢(shì)，并表明了電力開關(guān)器件的四個(gè)具體應(yīng)用要求：（1）高阻塞電壓（2）低功耗（3）高轉(zhuǎn)換速度 和（4）正常的關(guān)閉操作。
并介紹了該優(yōu)勢(shì)推動(dòng)了碳化硅肖特基二極管和晶體管的商業(yè)化發(fā)展。報(bào)告還分析氮化鎵的潛能會(huì)加快技術(shù)進(jìn)步，超越硅的理論極限，甚至顯著降低電力電子開關(guān)的價(jià)格。
在最后一節(jié)中，他還集中描述格里菲斯大學(xué)的標(biāo)準(zhǔn)電力電子設(shè)備的發(fā)展。
