利用夏普技術優勢 鴻海擬在珠海建尖端半導體廠
12月22日，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟與順義區人民政府聯合主辦，中關村科技園區順義園管委會具體承辦的中國創新創...
2018年12月11日至13日，ATEN宏正亮相在上海舉辦的首屆全球IC企業家峰會暨第十六屆中國國際半導體博覽會。此次展會由中國
告急！ASML供應商突遭火災，明年初的EUV光刻機交貨將延期
西工大新型光電功能晶體研究取得突破
第三屆紫外材料和器件國際研討會會議第二輪通知
西安交通大學王艷豐：基于YSZ介質層的氫終端金剛石場效應晶體管
北京大學劉放：高溫熱退火工藝對分子束外延二維氮化硼薄膜晶體質量的影響
山東大學陶緒堂教授：高質量氧化鎵單晶的生長及性能表征
鄭州大學教授、名古屋大學客座教劉玉懷：六方氮化硼的生長
日本大阪市立大學Jianbo LIANG：通過表面激活鍵在室溫下直接結合金剛石和硅
西安電子科技大學趙子越博士：基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管
臺灣長庚大學邱顯欽教授：適用于第五代行動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
四川益豐基礎研發部部長王祁鈺：100nm 和 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產品
中科院半導體所張韻研究員：III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器
蘇州能訊高能半導體有限公司李元：以系統方法實現氮化鎵射頻功率器件的高可靠性
西安電子科技大學特聘教授敖金平：用于微波無線電能傳輸的氮化鎵射頻肖特基二極管
香港應用科技研究院總監袁述：新一代碳化硅矩陣變換器
IFWS2018：超寬禁帶半導體材料與技術研究新進展
IFWS2018：聚焦前沿第三代半導體微波射頻技術研究進展
