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利用夏普技術(shù)優(yōu)勢(shì) 鴻海擬在珠海建尖端半導(dǎo)體廠

12月22日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟與順義區(qū)人民政府聯(lián)合主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管委會(huì)具體承辦的中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)...

　　2018年12月11日至13日，ATEN宏正亮相在上海舉辦的首屆全球IC企業(yè)家峰會(huì)暨第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)。此次展會(huì)由中國(guó)

告急！ASML供應(yīng)商突遭火災(zāi)，明年初的EUV光刻機(jī)交貨將延期

西工大新型光電功能晶體研究取得突破

第三屆紫外材料和器件國(guó)際研討會(huì)會(huì)議第二輪通知

西安交通大學(xué)王艷豐：基于YSZ介質(zhì)層的氫終端金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管

北京大學(xué)劉放：高溫?zé)嵬嘶鸸に噷?duì)分子束外延二維氮化硼薄膜晶體質(zhì)量的影響

山東大學(xué)陶緒堂教授：高質(zhì)量氧化鎵單晶的生長(zhǎng)及性能表征

鄭州大學(xué)教授、名古屋大學(xué)客座教劉玉懷：六方氮化硼的生長(zhǎng)

日本大阪市立大學(xué)Jianbo LIANG：通過(guò)表面激活鍵在室溫下直接結(jié)合金剛石和硅

西安電子科技大學(xué)趙子越博士：基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管

臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代行動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案

四川益豐基礎(chǔ)研發(fā)部部長(zhǎng)王祁鈺：100nm 和 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品

中科院半導(dǎo)體所張韻研究員：III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元：以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性

西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平：用于微波無(wú)線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管

香港應(yīng)用科技研究院總監(jiān)袁述：新一代碳化硅矩陣變換器

IFWS2018：超寬禁帶半導(dǎo)體材料與技術(shù)研究新進(jìn)展

IFWS2018：聚焦前沿第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)研究進(jìn)展