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【IFWS 2016】邱顯欽: 用SOI氮化鎵基板技術(shù)的高性能開關(guān)電源和頻射功率器件

【IFWS 2016】David Lishan: 氮化鎵基器件采用等離子切割的生產(chǎn)效益

【IFWS 2016】綦振瀛: 射頻通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生長(zhǎng)

圍繞第三代半導(dǎo)體，今年跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)專門設(shè)置了多場(chǎng)分會(huì)，其中，11月16日下午舉行的“第三代半導(dǎo)體與新一代移動(dòng)通信技術(shù)...

來自中興通訊股份有限公司射頻功放平臺(tái)總工劉建利作了題為“射頻功率器件在移動(dòng)通信基站射頻功率放大器中的應(yīng)用”主題報(bào)告。...

日本名古屋大學(xué)教授宇治原徹分享了“高質(zhì)量碳化硅的溶液生長(zhǎng)”研究報(bào)告

【IFWS 2016】周達(dá)成: 高電壓碳化硅功率器件的研究進(jìn)展

【IFWS 2016】Sima DIMITRIJEV教授: 電力電子設(shè)備的后硅時(shí)代

　　11月15日-17日，2016中國(guó)(北京)跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體國(guó)際論壇（以下簡(jiǎn)稱跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)）在北京國(guó)際會(huì)議中心...

　　IFWS碳化硅電力電子器件技術(shù)分會(huì)（上）　　以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高...

【IFWS 2016】北京市科委新能源處與新材料處長(zhǎng)許心超：第三代半導(dǎo)體正處于發(fā)展的窗口期

2016年11月15日至17日， 2016中國(guó)(北京)跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體國(guó)際論壇（以下簡(jiǎn)稱“跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)”）在北京國(guó)際...

2016年11月12日荷蘭代爾夫特理工大學(xué)中國(guó)研究院揭牌儀式在北京順義賓館會(huì)議中心隆重舉行。 國(guó)家科技部原副部長(zhǎng)曹健林，北京順...

2016年11月16日召開的“氮化鎵及其他新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)”分會(huì)采用召集人+主席+分會(huì)團(tuán)的模式，山東大學(xué)校長(zhǎng)、...

2016年11月3日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，北京半導(dǎo)體照...

高通正和荷蘭半導(dǎo)體公司恩智浦(NXP Semiconductors)洽談，計(jì)劃以超過 300 億美元的價(jià)格收購(gòu)后者。按照 IC insights 統(tǒng)計(jì)的今...

光器件是光通信系統(tǒng)中的重要組成部分，功能主要包括發(fā)送接收、波分復(fù)用、增益放大、開關(guān)交換和系統(tǒng)管理等，產(chǎn)品分為有源器件...

　“十二五”期間，我市以航空城建設(shè)為契機(jī)，抓住參與制造C919大飛機(jī)的良好機(jī)遇，大力發(fā)展航空制造業(yè)，吸引了一大批航空產(chǎn)業(yè)...

化合物半導(dǎo)體是區(qū)別于硅(Si)和鍺(Ge)等傳統(tǒng)單質(zhì)的一類半導(dǎo)體材料，主要包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(...

光電子集成電路被認(rèn)為是下一個(gè)希望所在。光電子集成產(chǎn)業(yè)是以“互聯(lián)網(wǎng)+”、物聯(lián)網(wǎng)為代表的大信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，被喻為“工業(yè)...