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【IFWS 2016】邱顯欽: 用SOI氮化鎵基板技術(shù)的高性能開關(guān)電源和頻射功率器件

【IFWS 2016】David Lishan: 氮化鎵基器件采用等離子切割的生產(chǎn)效益

【IFWS 2016】綦振瀛: 射頻通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生長

圍繞第三代半導體，今年跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會專門設(shè)置了多場分會，其中，11月16日下午舉行的“第三代半導體與新一代移動通信技術(shù)...

來自中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工劉建利作了題為“射頻功率器件在移動通信基站射頻功率放大器中的應(yīng)用”主題報告。...

日本名古屋大學教授宇治原徹分享了“高質(zhì)量碳化硅的溶液生長”研究報告

【IFWS 2016】周達成: 高電壓碳化硅功率器件的研究進展

【IFWS 2016】Sima DIMITRIJEV教授: 電力電子設(shè)備的后硅時代

　　11月15日-17日，2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會暨第三代半導體國際論壇（以下簡稱跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會）在北京國際會議中心...

　　IFWS碳化硅電力電子器件技術(shù)分會（上）　　以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等為代表的第三代半導體材料，具有高擊穿場強、高...

【IFWS 2016】北京市科委新能源處與新材料處長許心超：第三代半導體正處于發(fā)展的窗口期

2016年11月15日至17日， 2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會暨第三代半導體國際論壇（以下簡稱“跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會”）在北京國際...

2016年11月12日荷蘭代爾夫特理工大學中國研究院揭牌儀式在北京順義賓館會議中心隆重舉行。 國家科技部原副部長曹健林，北京順...

2016年11月16日召開的“氮化鎵及其他新型寬禁帶半導體電力電子器件技術(shù)”分會采用召集人+主席+分會團的模式，山東大學校長、...

2016年11月3日，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，北京半導體照...

高通正和荷蘭半導體公司恩智浦(NXP Semiconductors)洽談，計劃以超過 300 億美元的價格收購后者。按照 IC insights 統(tǒng)計的今...

光器件是光通信系統(tǒng)中的重要組成部分，功能主要包括發(fā)送接收、波分復用、增益放大、開關(guān)交換和系統(tǒng)管理等，產(chǎn)品分為有源器件...

　“十二五”期間，我市以航空城建設(shè)為契機，抓住參與制造C919大飛機的良好機遇，大力發(fā)展航空制造業(yè)，吸引了一大批航空產(chǎn)業(yè)...

化合物半導體是區(qū)別于硅(Si)和鍺(Ge)等傳統(tǒng)單質(zhì)的一類半導體材料，主要包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(...

光電子集成電路被認為是下一個希望所在。光電子集成產(chǎn)業(yè)是以“互聯(lián)網(wǎng)+”、物聯(lián)網(wǎng)為代表的大信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，被喻為“工業(yè)...