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　　2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京...

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　　2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京...

　　毫米波固態(tài)功率放大器是現(xiàn)代化軍事裝備的重要組成部分，其在W波段需要的發(fā)射端輸出功率達數(shù)瓦或更高。　　2017年11月1日-...

　　第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優(yōu)勢，展現(xiàn)出巨大的應用潛力。有數(shù)據(jù)顯示，紫外線LED應用于光...

　　第三代半導體材料主要包括以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶Ⅳ族化合物以及寬禁...

　　為助力中國第三代半導體行業(yè)發(fā)展提質增效，更好地整合國內外第三代半導體行業(yè)的優(yōu)勢資源，實現(xiàn)中國半導體行業(yè)迅速崛起。2...

　　氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有...

超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的...

2017年11月1-3日，在科技部、發(fā)改委、工信部及北京政府等相關部門大力支持下，由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和北京順義...

　　一代材料，一代器件，一代裝備，一代應用。第三代半導體材料主要包括以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅...

第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟乘十九大東風于2017年11月1日上午在首都希爾頓酒店召開第一屆三次會員大會。出席本次會議領...

有業(yè)內人士分析認為，隨著5G時代到來，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導體材料將迎來發(fā)展機遇。三安光電...

　　以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料憑借其寬禁帶、高熱導率、高擊穿電場、高抗輻射能力等特點，市場應用潛力巨大...

2017國際第三代半導體論壇（IFWS2017）

市場需求逐漸起量 氮化鎵功率電子器件市場商機無限

扎根第三代半導體，誰能脫穎而出？

近年來，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料引發(fā)全球矚目，成為全球半導體研究開發(fā)的前沿和...

　　一、各高新區(qū)外參與大賽并落地高新區(qū)的企業(yè)，可獲得50萬-2000萬元產業(yè)基金投資對接。　　二、本屆大賽聯(lián)合將近100億元的...

第二屆國際第三代半導體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽(廈門賽區(qū))常見問題解答