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美國(guó)需在芯片發(fā)展上下大力氣，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟及行業(yè)研究公司提出建議

戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料重點(diǎn)專項(xiàng)—“面向下一代移動(dòng)通訊的GaN基射頻器件關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)應(yīng)用”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)在深圳召開

2016年國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料重點(diǎn)專項(xiàng)—“第三代半導(dǎo)體紫外探測(cè)材料及器件關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)在南京大學(xué)召開...

【IFWS 2016】Won-Jae LEE: 韓國(guó)SiC相關(guān)研究小組的最近研發(fā)現(xiàn)狀

【IFWS 2016】馮哲川: n + 4H SiC上的同質(zhì)外延4H-SiC薄膜和深紫外-紫外-可見光的光譜特性

2016年11月14日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟第二次會(huì)員大會(huì)在北京中奧凱富國(guó)際酒店召開。

【IFWS 2016】山東大學(xué)教授徐現(xiàn)剛: 橫向生長(zhǎng)的碳化硅晶體位錯(cuò)減少

11月15日，在科學(xué)技術(shù)部火炬高技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)中心、北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、廣東省科學(xué)技術(shù)廳的指導(dǎo)和支持下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

【IFWS 2016】劉揚(yáng): 基于選區(qū)外延技術(shù)制備具有高質(zhì)量MOS界面的Si襯底上凹槽柵增強(qiáng)型GaN基MOSFET

【IFWS 2016】Marianne GERMAIN：大直徑硅外延片上的氮化鎵高效率的功率切換

【IFWS 2016】陳敬: 詳解氮化鎵功率器件MIS門結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和可靠性

【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅襯底AlGaN/GaN基HEMT的異質(zhì)外延生長(zhǎng)和器件特征

【IFWS 2016】程凱: 電力電子應(yīng)用 硅基氮化鎵平臺(tái)

【IFWS 2016】張翼: La2O3/SiO2鈍化和銅金屬化的氮化鎵增強(qiáng)型HEMT器件

【IFWS 2016】Mark Mackee: 單晶反應(yīng)腔技術(shù)到電力電子大批量制造的GaN-Si MOCVD

【IFWS 2016】yuhao zhang: 電力電子采用的低成本高性能的垂直GaN二極管和晶體管

【IFWS 2016】Fred C. LEE: GaN引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革

【IFWS 2016】北京市科委雙新處副處長(zhǎng)王紅梅: 北京高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展

【SSLCHINA 2016】孔月嬋：fT > 260 GHz時(shí)高性能超薄第四組InAlGaN勢(shì)壘HEMT器件

【IFWS 2016】呂元杰: 采用凹柵工藝提升AlGaN/GaN HFETs器件性能