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美國需在芯片發展上下大力氣，半導體產業聯盟及行業研究公司提出建議

戰略性先進電子材料重點專項—“面向下一代移動通訊的GaN基射頻器件關鍵技術及系統應用”項目啟動會在深圳召開

2016年國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項—“第三代半導體紫外探測材料及器件關鍵技術”項目啟動會在南京大學召開...

【IFWS 2016】Won-Jae LEE: 韓國SiC相關研究小組的最近研發現狀

【IFWS 2016】馮哲川: n + 4H SiC上的同質外延4H-SiC薄膜和深紫外-紫外-可見光的光譜特性

2016年11月14日，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟第二次會員大會在北京中奧凱富國際酒店召開。

【IFWS 2016】山東大學教授徐現剛: 橫向生長的碳化硅晶體位錯減少

11月15日，在科學技術部火炬高技術產業開發中心、北京市科學技術委員會、廣東省科學技術廳的指導和支持下，第三代半導體產業...

【IFWS 2016】劉揚: 基于選區外延技術制備具有高質量MOS界面的Si襯底上凹槽柵增強型GaN基MOSFET

【IFWS 2016】Marianne GERMAIN：大直徑硅外延片上的氮化鎵高效率的功率切換

【IFWS 2016】陳敬: 詳解氮化鎵功率器件MIS門結構的穩定性和可靠性

【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅襯底AlGaN/GaN基HEMT的異質外延生長和器件特征

【IFWS 2016】程凱: 電力電子應用 硅基氮化鎵平臺

【IFWS 2016】張翼: La2O3/SiO2鈍化和銅金屬化的氮化鎵增強型HEMT器件

【IFWS 2016】Mark Mackee: 單晶反應腔技術到電力電子大批量制造的GaN-Si MOCVD

【IFWS 2016】yuhao zhang: 電力電子采用的低成本高性能的垂直GaN二極管和晶體管

【IFWS 2016】Fred C. LEE: GaN引領產業變革

【IFWS 2016】北京市科委雙新處副處長王紅梅: 北京高度重視第三代半導體技術和產業的發展

【SSLCHINA 2016】孔月嬋：fT > 260 GHz時高性能超薄第四組InAlGaN勢壘HEMT器件

【IFWS 2016】呂元杰: 采用凹柵工藝提升AlGaN/GaN HFETs器件性能